Avantatges del silici monocristal·lí

El silici monocristal·lí, a causa de la seva disposició atòmica molt ordenada, presenta una baixa resistència elèctrica (resistivitat tan baixa com 0,001 Ω·cm) i una gran mobilitat d'electrons (aproximadament 1500 cm²/V·s), millorant significativament la velocitat de funcionament dels dispositius electrònics i reduint el consum d'energia. Pel que fa a les propietats òptiques, té una transmissió de la llum infraroja propera-del 90% amb una dispersió mínima de la llum, cosa que el fa adequat per a la comunicació de fibra òptica (com la banda de 1550 nm) i la fabricació de fotodetectors. Tèrmicament, el silici monocristal·lí té una conductivitat tèrmica de fins a 150 W/(m·K), que permet una ràpida dissipació de la calor i garanteix l'estabilitat del dispositiu en entorns d'alta-temperatura (temperatures de funcionament de fins a 200 graus). Mecànicament, té una duresa Mohs de 7,0 i una resistència a la flexió superior a 1 GPa, complint els requisits de mecanitzat de precisió de la fabricació de semiconductors.